Halvledere har tre hovedkarakteristika:
1. Termiske følsomhedsegenskaber
Resistiviteten af halvledere ændrer sig væsentligt med temperaturen. For eksempel, rent germanium, for hver 10 graders stigning i luftfugtighed, falder dens elektriske resistivitet til 1/2 af dens oprindelige værdi. De subtile ændringer i temperatur kan afspejles i de betydelige ændringer i halvlederresistivitet. Ved at udnytte halvlederes termiske følsomhed kan temperaturfølende elementer - termistorer - fremstilles til brug i temperaturmålings- og kontrolsystemer.
Det er værd at bemærke, at forskellige halvlederenheder har termisk følsomhed, hvilket påvirker deres stabilitet, når den omgivende temperatur ændres.
2. Lysfølsomme egenskaber
Resistiviteten af halvledere er meget følsom over for ændringer i lys. Når den er belyst, er den elektriske resistivitet meget lav; Når der ikke er lys, er den elektriske resistivitet høj. For eksempel har den almindeligt anvendte cadmiumsulfid fotoresistor en modstand på flere titus af megaohm i fravær af lys, når den udsættes for lys. Modstanden faldt pludselig til titusindvis af ohm, og modstandsværdien ændrede sig tusindvis af gange. Ved at udnytte halvlederes lysfølsomme egenskaber fremstilles forskellige typer optoelektroniske enheder, såsom fotodioder, fototransistorer og siliciumfotoceller. Udbredt i automatisk kontrol og radioteknologi.
3. Dopingkarakteristika
I rene halvledere kan doping af ekstremt små mængder af urenhedselementer forårsage en betydelig ændring i deres elektriske resistivitet. For eksempel. Doping i ren silicium. Borelementets resistivitet, som er mindre end 214000 Ω· cm, vil falde til 0,4 Ω· cm, hvilket betyder, at ledningsevnen af silicium vil stige med mere end 500000 gange. Folk kontrollerer præcist ledningsevnen af halvledere ved at dope visse specifikke urenhedselementer og fremstiller forskellige typer halvlederenheder. Det kan uden overdrivelse siges, at næsten alle halvlederenheder er lavet af halvledermaterialer doteret med specifikke urenheder.
